Libro open-access: "Nanowires"
Mar, 01/06/2010 - 12:00 — nico
Cari Colleghi,
ho il piacere di segnalarvi l’uscita del libro: "Nanowires", ISBN: 978-953-7619-79-4, edito da P. Prete e pubblicato da INTECH, che potete scaricare gratuitamente on-line dal seguente indirizzo:http://sciyo.com/books/show/title/nanowires
Il testo esplora il vasto campo dei nanofili (Nanowires, NW) di semiconduttore attraverso una serie di monografie auto-consistenti che focalizzano su vari aspetti dei NW. In ogni capitolo, dopo un breve sguardo allo stato dell’arte del settore di interesse, vengono presentati i più recenti risultati degli autori in tale campo.
Il libro è composto da 20 capitoli riguardanti diversi semiconduttori di interesse tecnologico, dai composti IV-IV, alle famiglie di composti binari e ternari III-V, sino agli ossidi metallici.
Gli argomenti trattati si possono raggruppare nelle seguenti quattro sezioni: la prima riguarda la sintesi di NW di diversi semiconduttori con metodi bottom-up (auto-organizzazione), la seconda è relativa all’applicazione di tecniche avanzate di caratterizzazione per lo studio dei NW; la terza è relativa a studi teorici e calcoli ab-initio di diverse proprietà dei NW; infine, un ultimo gruppo di capitoli descrive alcuni metodi di integrazione dei NW per la fabbricazione di dispositivi su larga scala.
In particolare, il capitolo 3 del libro riporta i più recenti risultati sui NW di semiconduttori III-V ottenuti dalle ricerche di P. Prete (IMM-CNR, Unità di Lecce) e N. Lovergine (Dip. Ing. Innovazione, Università del Salento).
Il testo esplora il vasto campo dei nanofili (Nanowires, NW) di semiconduttore attraverso una serie di monografie auto-consistenti che focalizzano su vari aspetti dei NW. In ogni capitolo, dopo un breve sguardo allo stato dell’arte del settore di interesse, vengono presentati i più recenti risultati degli autori in tale campo.
Il libro è composto da 20 capitoli riguardanti diversi semiconduttori di interesse tecnologico, dai composti IV-IV, alle famiglie di composti binari e ternari III-V, sino agli ossidi metallici.
Gli argomenti trattati si possono raggruppare nelle seguenti quattro sezioni: la prima riguarda la sintesi di NW di diversi semiconduttori con metodi bottom-up (auto-organizzazione), la seconda è relativa all’applicazione di tecniche avanzate di caratterizzazione per lo studio dei NW; la terza è relativa a studi teorici e calcoli ab-initio di diverse proprietà dei NW; infine, un ultimo gruppo di capitoli descrive alcuni metodi di integrazione dei NW per la fabbricazione di dispositivi su larga scala.
In particolare, il capitolo 3 del libro riporta i più recenti risultati sui NW di semiconduttori III-V ottenuti dalle ricerche di P. Prete (IMM-CNR, Unità di Lecce) e N. Lovergine (Dip. Ing. Innovazione, Università del Salento).
Un caro saluto e buona lettura a tutti,
Paola Prete
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi del CNR - Webmaster Nicolò Parasole
